在昨日与英特尔及首席实行官伙同举办的问答方法上kaiyun网站，英伟达CEO黄仁勋（Jensen Huang）阐述，现在的GB10“Grace Blackwell”超等芯片恰是行将推出的N1条记本处分器的基础规划。

黄仁勋示意：“咱们还有一款名为N1的全新Arm居品，这款处分器将用于DGX Spark以偏激他多种类型的居品系列。咱们对Arm道路图特别期待，这一施展不会受其他身分影响。”

这意味着GB10超等芯片组成了N1处分器的规划原来，把柄此前公布的GB10信息，仍是不错初步意想其性能等第。

在Hot Chips 2025大会上，英伟达曾防备先容过GB10芯片。该芯片采取来自联发科的Arm CPU芯片，与Blackwell GPU芯片拼装于TSMC（台积电）3纳米制程的2.5D封装中。处分器部分扫尾了20个Arm v9.2中枢，分为两个十中枢集群，每个集群配有16MB L3分享缓存（共计32MB），每个中枢还独享L2缓存。内存系统为长入的LPDDR5X-9400架构，采取256位总线，最大辅助128GB，带宽约为301GB/s。

关于豪侈级条记本居品，现在尚需不雅察该内存容量是否会保留。此外，CPU芯片组集成了高速I/O驱逐，NVMe存储与外设通过PCIe 5.0通说念流畅。扫数芯片封装的典型热规划功耗（TDP）约为140瓦，辅助多袒露输出（包括DisplayPort延伸款式及HDMI 2.1a），并具备面向专科级使命负载的安全与杜撰化特质。